參數(shù)資料
型號(hào)： NTMS4705N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30V, 12A, Single N Channel, SO8(30V, 12A，功率MOSFET)
中文描述： 30V的功率MOSFET，12A條，單個(gè)N頻道，采用SO8（30V的，第12A，功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： NTMS4705N
NTMS4705N
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC8
CASE 75107
ISSUE AG
STYLE 12:
PIN 1.
SOURCE
SOURCE
SOURCE
GATE
DRAIN
DRAIN
DRAIN
DRAIN
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 75101 THRU 75106 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 75107.
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MIN
4.80
3.80
1.35
0.33
MAX
5.00
4.00
1.75
0.51
MIN
0.189
0.150
0.053
0.013
MAX
0.197
0.157
0.069
0.020
INCHES
MILLIMETERS
1.27 BSC
0.10
0.19
0.40
0
0.25
5.80
0.050 BSC
0.004
0.007
0.016
0
0.010
0.228
0.25
0.25
1.27
8
0.50
6.20
0.010
0.010
0.050
8
0.020
0.244
X
Y
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
Z
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X
S
M
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
1.270
0.050
4.0
0.155
mm
inches
SCALE 6:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTMS7N03R2 Power MOSFET 7 Amps, 30 Volts
NTP12N50 Power MOSFET 12 Amps, 500 Volts N-Channel(12A,500V,N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管(TO-220封裝）)
NTP13N10 Power MOSFET 13 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode TO-220(13A,100V,N通道，增強(qiáng)模式，TO-200封裝的功率MOSFET)
NTP2955 Power MOSFET 60V, 12A, Single P Channel, TO220(60V, 12A功率MOSFET)
NTP4302 CONNECTOR ACCESSORY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTMS4705NR2 功能描述:MOSFET 30V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMS4705NR2G 功能描述:MOSFET 30V 12A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMS4706N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N−Channel, SO−8
NTMS4706NR2 功能描述:MOSFET 30V 10.3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTMS4706NR2G 功能描述:MOSFET 30V 10.3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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