參數(shù)資料
型號： NTMFS4744N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30V, 53A, Single N(53A, 30V功率MOSFET)
中文描述： 30V的功率MOSFET，53A條，單個(gè)N（第53A，30V的功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 69K
代理商： NTMFS4744N
NTMFS4744N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Unit
Max
Typ
Min
Test Condition
Symbol
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 4)
TurnOn Delay Time
t
d(ON)
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 30 A, R
G
= 3.0
7.0
ns
Rise Time
t
r
94
TurnOff Delay Time
t
d(OFF)
23
Fall Time
t
f
4.7
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25
°
C
0.78
1.2
V
T
J
= 125
°
C
0.7
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, dI
S
/dt = 100 A/ s,
I
S
= 30 A
37
60
ns
Charge Time
t
a
21
Discharge Time
t
b
17
Reverse Recovery Charge
Q
RR
37
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L
S
T
A
= 25
°
C
0.65
nH
Drain Inductance
L
D
0.005
Gate Inductance
L
G
1.84
Gate Resistance
R
G
2.0
5.0
3. Pulse Test: pulse width
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
300 s, duty cycle
2%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTMFS4839N Power MOSFET(功率MOSFET)
NTMFS4838N Power MOSFET(功率MOSFET)
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參數(shù)描述
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NTMFS4744NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 53A 10MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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NTMFS4821NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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