參數(shù)資料
型號(hào)： NTK3134N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET(功率MOSFET)
中文描述： 功率MOSFET（功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大小： 58K
代理商： NTK3134N
NTK3134N
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
20
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
100
10
1
1
10
100
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.8
0.9
1.0
C
t
I
S
,
18
16
14
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
t
d(off)
V
DD
= 10 V
I
D
= 500 mA
V
GS
= 4.5 V
t
d(on)
t
f
t
r
0.5
0.6
0.7
V
GS
= 0 V
25
°
C
150
°
C
125
°
C
T
J
= 55
°
C
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PDF描述
NTK3142P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
NTLJD4116N Power MOSFET(功率MOSFET)
NTLJF4156N Power MOSFET and Schottky Diode(功率MOSFET和肖特基二極管)
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參數(shù)描述
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NTK3134NT1H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTK3134NT5G 功能描述:MOSFET 20V/6V N CH T1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTK3134NT5H 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTK3139P 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −780 mA, Single P−Channel with ESD Protection, SOT−723
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