參數(shù)資料
型號： NTHD4N02FT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power MOSFET and Schottky Diode
中文描述： 2900 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： NTHD4N02FT1
NTHD4N02F
http://onsemi.com
4
TYPICAL MOSFET PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Q
GD
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
5
10
10
400
300
200
100
0
20
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
C
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
G
T
J
= 25
°
C
C
OSS
C
ISS
C
RSS
V
D
D
R
G
, GATE RESISTANCE ( )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
t
5
0
V
GS
V
DS
15
0.9
3
0
0.3
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
7
0.75
0.45
1
4
2
1.2
0.6
1.05
5
6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
4
8
12
16
20
I
D
= 2.9 A
T
J
= 25
°
C
Q
GS
Q
T
1
10
100
1
10
100
V
DD
= 16 V
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 4.5 V
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTHD4N02FT1G Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD5904T1 Power MOSFET Dual N-Channel
NTHD5905T1 Power MOSFET Dual P-Channel 3.0 A, 8 V(3.0A，8V，雙P通道的功率MOSFET)
NTHS5404 Power MOSFET
NTHS5404T1 Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTHD4N02FT1G 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4P02 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
NTHD4P02F 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD4P02F_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD4P02FT1 功能描述:MOSFET -20V -3A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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