參數(shù)資料
型號(hào)： NTHD4508NT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
中文描述： 3.1 A, 20 V, 0.075 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： NTHD4508NT1
NTHD4508N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
5
10
10
400
300
200
100
0
20
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
0
2
1
4
1
0
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
G
T
J
= 25
°
C
C
OSS
C
ISS
C
RSS
I
D
= 3.1 A
T
J
= 25
°
C
Q
G
0.5
2
3
V
D
D
10
5.0
0
Q
GD
10
1
10
1
100
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
t
V
DD
= 16 V
I
D
= 2.3 A
V
GS
= 4.5 V
100
5
0
5
2.5
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
V
GS
V
DS
15
3
0.9
3
0
0.3
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
7
0.75
0.45
1
4
2
7.5
1.2
0.6
1.05
5
6
2.5
1.5
Q
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTHD4508NT1G Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4N02F Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD4N02FT1 Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD4N02FT1G Power MOSFET and Schottky Diode
NTHD5904T1 Power MOSFET Dual N-Channel
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參數(shù)描述
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NTHD4N02 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
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NTHD4N02FT1G 功能描述:MOSFET 20V 3.9A N-Channel w/3.7A Schottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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