參數(shù)資料
型號： NTHD4508NT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
中文描述： 3.1 A, 20 V, 0.075 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 55K
代理商： NTHD4508NT1
NTHD4508N
http://onsemi.com
3
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
2 V
100
°
C
0
8
5
6
6
3
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
D
4
2
0
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
0
8
2
1.5
2.5
6
4
2
1
0
3
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
3
5
0.10
0.05
0
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
D
I
D
D
1
7
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
50
0
25
25
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
50
125
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
= 25
°
C
0.15
2
4
T
C
= 55
°
C
I
D
= 3.1 A
T
J
= 25
°
C
0.1
0.04
75
150
T
J
= 25
°
C
I
D
= 3.1 A
V
GS
= 4.5 V
R
D
D
R
4
25
°
C
R
D
D
1.7
V
GS
= 4.5 V
1
6
2
4
8
1
20
16
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
12
V
GS
= 0 V
I
D
,
T
J
= 100
°
C
1.4 V
1.6 V
1.8 V
V
GS
= 2.5 V
10
100
7
8
2.2 V
V
DS
≥
10 V
3
5
0.07
6
10
18
14
V
GS
= 2.4 V
V
GS
= 5 V to 3 V
9
10
0.5
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTHD4508NT1G Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
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