參數(shù)資料
型號： NTHD4502NT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
中文描述： 2200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 60K
代理商： NTHD4502NT1
NTHD4502N
http://onsemi.com
4
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4 V
100
°
C
0
10
5
6
6
3
2
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D
D
4
2
0
1
Figure 1. OnRegion Characteristics
1
6
4
5
5
4
2
3
0
6
Figure 2. Transfer Characteristics
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5
7
0.2
0.1
0
Figure 3. OnResistance vs. GatetoSource
Voltage
V
GS
, GATETOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
D
D
I
D
D
2
6
Figure 4. OnResistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
I
D,
DRAIN CURRENT (AMPS)
50
0
25
25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
50
125
100
Figure 5. OnResistance Variation with
Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
T
J
= 25
°
C
0.3
4
6
T
J
= 55
°
C
I
D
= 2.9 A
T
J
= 25
°
C
0.12
0.07
75
150
T
J
= 25
°
C
I
D
= 2.9 A
V
GS
= 10 V
R
D
D
R
4
25
°
C
R
D
D
1.8
V
GS
= 4.5 V
3
10
5
0.1
30
25
Figure 6. DraintoSource Leakage Current
vs. Voltage
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
15
V
GS
= 0 V
I
D
,
T
J
= 100
°
C
3.4 V
2.6 V
2.8 V
V
GS
= 10 V
10
1000
V
DS
≥
10 V
3
5
0.09
10
V
GS
= 10, 6, 5, 4.5 & 4.2 V resp.
2
2
0.25
8
9
0.10
0.08
0.11
4
1.6
100
1
20
T
J
= 150
°
C
8
3 V
3.2 V
3.6 V
3.8 V
3
1
0.15
0.05
相關PDF資料
PDF描述
NTHD4502NT1G Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508N Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1 Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1G Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4N02F Power MOSFET and Schottky Diode
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NTHD4502NT1G 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4508N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4508NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4N02 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*