參數(shù)資料
型號： NTHD4502NT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
中文描述： 2200 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： CASE 1206A-03, CHIPFET-8
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NTHD4502NT1
NTHD4502N
http://onsemi.com
5
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V
5
10
10
300
200
100
0
30
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
C
0
2
1
8
2
0
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage vs. Total Charge
Q
G
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
G
T
J
= 25
°
C
C
OSS
C
ISS
C
RSS
I
D
= 2.9 A
T
J
= 25
°
C
Q
G
4
6
V
D
D
24
8
0
Q
GD
10
1
10
0.1
100
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
t
V
DD
= 24 V
I
D
= 1.0 A
V
GS
= 10 V
100
5
0
12
4
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
V
GS
V
DS
15
4
0.9
3
0
0.3
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I
S
,
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
0.7
0.4
1
2
20
1
0.5
0.8
Q
GS
16
12
10
3
1
0.6
20
25
V
DS
V
GS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NTHD4502NT1G Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508N Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1 Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1G Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4N02F Power MOSFET and Schottky Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NTHD4502NT1G 功能描述:MOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4508N 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.1 A, Dual N−Channel ChipFET
NTHD4508NT1 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4508NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTHD4N02 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*