參數(shù)資料
型號： NTE3323
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管N溝道增強模式，高速開關
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 20K
代理商： NTE3323
NTE3323
Insulated Gate Bipolar Transistor
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Features:
High Input Impedance
High Speed
Low Saturation Voltage
Enhancement Mode
Applications:
High Power Switching
Motor Control
Absolute Maximum Raings:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, V
CES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate–Emitter Voltage, V
GES
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
DC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulse (1ms)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Power Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1200V
±
20V
25A
50A
200W
+150
°
C
–55
°
to +150
°
C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
±
500
1.0
Unit
Gate Leakage Current
I
GES
I
CES
V
GE
=
±
20V, V
CE
= 0
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0
I
C
= 2mA, V
GE
= 0
I
C
= 25mA, V
CE
= 5V
I
C
= 25A, V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0, f = 1MHz
V
CC
= 600V
–
–
nA
Collector Cutoff Current
–
–
mA
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CES
V
GE(off)
V
CE(sat)
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
1200
–
–
V
Gate–Emitter Cutoff Voltage
3.0
–
6.0
V
Collector–Emitter Saturation Voltage
–
3.0
4.0
V
Input Capacitance
–
3200
–
pF
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
Rise Time
–
0.30
0.60
Turn–On Time
–
0.40
0.80
Fall Time
–
0.25
0.50
Turn–Off Time
–
0.80
1.50
相關PDF資料
PDF描述
NTE335 Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier
NTE336 Silicon NPN RF Power Transistor Designed for power amplifier
NTE337 RESISTOR, METAL STRIP R001 1W 1%RESISTOR, METAL STRIP R001 1W 1%; Resistor element type:Metal Strip; Resistance:0.001R; Case style:2512; Series:ULR; Power rating:1W; Tolerance, +:1%; Tolerance, -:1%; Temp, op. max:170(degree C);
NTE338 MINIATURE POWER RELAY
NTE471 Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NTE332MCP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 100V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-220AB
NTE333 制造商:NTE Electronics 功能描述: 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 36V IC=15A PO=60W 14-30MHZ RF POWER PUTPUT
NTE334 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 15A I(C) | SOT-122
NTE335 制造商:NTE Electronics 功能描述:TRANSISTOR NPN SILICON 45V IC=20A PO=80W 14-30MHZ RF POWER OUTPUT
NTE336 制造商:NTE Electronics 功能描述:Trans GP BJT NPN 25V 20A 4-Pin
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*