參數(shù)資料
型號： NTE325
廠商： NTE Electronics, Inc.
英文描述： Silicon NPN RF Power Transistor 50W @ 30MHz
中文描述： 硅npn型射頻功率晶體管50瓦@ 30MHz頻段
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 22K
代理商： NTE325
NTE325
Silicon NPN RF Power Transistor
50W @ 30MHz
Description:
The NTE325 is a silicon NPN RF power transistor in a T72H type package designed for power amplifier
applications in industrial, commercial, and amateur radio equipment to 30MHz.
Features:
Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:
Output Power = 50W
Minimum Gain = 11dB
Efficiency = 50%
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
Collector–Base Voltage, V
CBO
Emitter–Base Voltage, V
EBO
Continuous Collector Current, I
C
Total Device Dissipation (T
C
= +25
°
C), P
D
Derate Above 25
°
C
Storage Temperature Range, T
stg
Thermal Resistance, Junction to Case, R
Θ
JC
20V
40V
4V
7.5A
115W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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0.66W/
°
C
–65
°
to +150
°
C
1.53
°
C/W
Electrical Characteristics:
(T
C
= +25
°
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
V
(BR)CES
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
C
= 100mA, I
B
= 0
I
C
= 20mA, V
BE
= 0
I
C
= 20mA, I
E
= 0
I
E
= 10mA, I
C
= 0
20
–
–
V
40
–
–
V
Collector–Base Breakdown Voltage
40
–
–
V
Emitter–Base Breakdown Voltage
4
–
–
V
ON Characteristics
DC Current Gain
h
FE
I
C
= 1A, V
CE
= 5V
10
–
–
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
C
ob
V
CB
= 15V, I
E
= 0, f = 1MHz
–
–
200
pF
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