參數(shù)資料
型號(hào)： NTB4302
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts
中文描述： 74 A, 30 V, 0.0093 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418AA-01, D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： NTB4302
NTP4302, NTB4302
http://onsemi.com
5
SAFE OPERATING AREA
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
Figure 13. Thermal Response
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
t, TIME (s)
1.00
0.10
0.01
1.0E05
0.2
D = 0.5
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
1.0E04
1.0E03
1.0E02
1.0E01
1.0E+00
1.0E+01
0.02
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NTB4302T4 功能描述:MOSFET 30V 74A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB4302T4G 功能描述:MOSFET 30V 74A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB45N06 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NTB45N06G 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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