參數(shù)資料
型號： NTB4302
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts
中文描述： 74 A, 30 V, 0.0093 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： CASE 418AA-01, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 71K
代理商： NTB4302
NTP4302, NTB4302
http://onsemi.com
4
1000
100
10
1
0.1
0
100
400
600
700
800
2
4
1
3
0
5
10
10
3000
0
C
0
Q
g
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. GatetoSource and
DraintoSource Voltage versus Total Charge
V
G
,
1
1000
10
100
1
100
Figure 9. Resistive Switching Time Variations
versus Gate Resistance
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
V
SD
, SOURCETODRAIN VOLTAGE (VOLTS)
t
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
I
D
,
E
A
,
A
10
1
100
0
10
30
0.5
0.7
0.6
0.8
15
5
10
0
25
25
125
100
75
50
150
GATETOSOURCE OR DRAINTOSOURCE (VOLTS)
1000
2000
4000
6000
30
I
S
,
20
20
0.9
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
V
GS
I
D
= 37 A
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
V
DD
= 24 V
I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
T
J
= 25
°
C
I
D
= 17 A
10 ms
1 ms
100
μ
s
10
μ
s
dc
t
f
t
d(off)
t
d(on)
t
r
V
DS
Q
2
Q
1
Q
T
1
10
5000
V
DS
20
Mounted on 2
″
sq. FR4 board (1
″
sq. 2 oz. Cu 0.06
″
thick single sided) with one die operating, 10 s max.
200
300
500
V
D
,
30
24
18
12
6
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PDF描述
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NTB45N06G 功能描述:MOSFET 60V 45A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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