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參數(shù)資料
| 型號： | NP88N04NHE-S18-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | NP88N04NHE-S18-AY |
Data Sheet D14236EJ8V0DS
6
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. CHANNEL TEMPERATURE
9
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
R
D
Ω
0
50
2
1
4
3
6
5
0
50
100
150
I
D
= 44 A
8
7
V
GS
= 10 V
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
F
0
1.5
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
V
GS
= 10 V
0 V
0.1
1
10
100
1000
Figure14. CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
100
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
t
r
t
d(on)
t
d(off)
t
f
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 1
Ω
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
1000
I
F
- Diode Forward Current - A
t
r
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
100
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
20
40
80
120
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
DD
= 32 V
20 V
8 V
V
DS
0
60
100
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V
GS
I
D
= 88 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N055CHE-S12-AZ | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055DHE-S12-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055EHE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055EHE-E2-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055KHE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NP88N04NUG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP88N055CHE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-220AB |
| NP88N055CHE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055CLE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-220AB |
| NP88N055CLE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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