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參數(shù)資料
| 型號： | NP88N04NHE-S18-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | MOS場效應(yīng)晶體管的開關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 225K |
| 代理商： | NP88N04NHE-S18-AY |
Data Sheet D14236EJ8V0DS
5
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
Figure6. FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
0.01
10
100
Pulsed
2
3
4
5
7
6
V
DS
= 10 V
T
A
=
50
°
C
25
°
C
75
°
C
175
°
C
Figure7. DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
1.0
1.5
2.0
200
500
400
300
0.5
Pulsed
V
GS
= 10 V
100
0
Figure8. FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
I
D
- Drain Current - A
f
V
= 10 V
Pulsed
0.01
1
10
1
0.1
0.01
10
100
0.1
T
= 175
°
C
75
°
C
25
°
C
50
°
C
Figure9. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
10
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
Ω
0
5
10
5
15
20
Pulsed
I
D
= 44 A
0
Figure10. DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
Ω
5
10
1
10
15
100
1000
Pulsed
0
V
GS
= 10 V
Figure11. GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
V
G
1.0
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2.0
3.0
4.0
50
0
50
100
150
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N055CHE-S12-AZ | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055DHE-S12-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055EHE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055EHE-E2-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055KHE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NP88N04NUG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP88N055CHE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-220AB |
| NP88N055CHE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055CLE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-220AB |
| NP88N055CLE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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