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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NP88N04NHE-S18-AY |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
| 中文描述： | MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大小： | 225K |
| 代理商： | NP88N04NHE-S18-AY |
Data Sheet D14236EJ8V0DS
4
NP88N04EHE, NP88N04KHE, NP88N04CHE, NP88N04DHE, NP88N04MHE, NP88N04NHE
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
0
25
50
75
100 125 150 175 200
20
40
60
80
100
T
C
- Case Temperature -
°
C
0
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
350
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
00
25
50
75
100 125 150 175 200
300
250
200
150
100
50
Figure3. FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
1
0.1
100
0.1
1000
1
10
100
I
D(pulse)
R
DS(on)
Lmted
(V
GS
=10V)
I
D(DC)
PW=10
μ
s
1ms
10ms
DC
LPowe Dsspaion
Single pulse
T
C
= 25
°
C
100
μ
s
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature -
°
C
A
025
100
400
600
800
50
75
100
125
150
175
500
300
200
700
I
AS
= 75 A
562 mJ
232 mJ
88 A
PW - Pulse Width - s
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10
100
μ
μ
Single pulse
T
C
= 25
°
C
R
th(ch-A)
= 83.3
°
C/W
R
th(ch-C)
= 0.52
°
C/W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NP88N055CHE-S12-AZ | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055DHE-S12-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055EHE-E1-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055EHE-E2-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055KHE | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NP88N04NUG-S18-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 88A TO-262 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| NP88N055CHE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-220AB |
| NP88N055CHE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| NP88N055CLE | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 88A I(D) | TO-220AB |
| NP88N055CLE-S12-AZ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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