參數(shù)資料
型號： NP80N055KHE
元件分類： JFETs
英文描述： 80 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： NP80N055KHE
Data Sheet D14096EJ6V0DS
5
NP80N055CHE,NP80N055DHE,NP80N055EHE,NP80N055KHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Tch - Channel Temperature - C
R
DS(on)
-
Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
m
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
0
50
4
8
12
0
50
100
150
ID = 40 A
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
16
20
24
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
VGS = 10 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
C
iss
,C
oss
,C
rss
-
Capacitance
-
pF
ID - Drain Current - A
td(on)
,t
r,
t
d(off)
,t
f-
Switching
Time
-
ns
1
0.1
10
0.1
100
1000
10000
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
10
100
1000
10
100
Coss
Crss
Ciss
V
GS
-
Gate
to
Source
Voltage
-
V
IF - Drain Current - A
trr
-
Reverse
Recovery
Time
-
ns
di/dt = 100 A/
s
VGS = 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
QG - Gate Charge - nC
V
DS
-
Drain
to
Source
Voltage
-
V
0
40
20
10
30
20
40
60
80
2
4
VDS
1 000
100
6
10
12
14
16
8
VGS
VDD = 44 V
ID = 80 A
28 V
11 V
Pulsed
td(on)
td(off)
tf
tr
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
ISD
-
Diode
Forward
Current
-
A
0
1.5
VSD - Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
0.1
1
10
100
1000
VGS = 0 V
VGS = 10 V
相關PDF資料
PDF描述
NP80N06CLD 80 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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NP84N075NUE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP88N04CHE-S12-AZ MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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NP80N055KHE-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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NP80N055KLE-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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