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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NLX2G86MUTCG |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC GATE EXCL-OR DUAL 2INP 8-UQFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 邏輯類型： | XOR（異或） |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 輸入數(shù)： | 2 |
| 電源電壓： | 1.65 V ~ 5.5 V |
| 電流 - 靜態(tài)（最大值）： | 1µA |
| 輸出電流高，低： | 32mA，32mA |
| 額定電壓和最大 CL 時(shí)的最大傳播延遲： | 4.2ns @ 5V，50pF |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-UQFN（1.6x1.6） |
| 封裝/外殼： | 8-UFQFN |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
NLX2G86
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCC
DC Supply Voltage
*0.5 to )7.0
V
VI
DC Input Voltage
*0.5 to )7.0
V
VO
DC Output Voltage
*0.5 to )7.0
V
IIK
DC Input Diode Current
VI < GND
*50
mA
IOK
DC Output Diode Current
VO < GND
*50
mA
IO
DC Output Sink Current
$50
mA
ICC
DC Supply Current per Supply Pin
$100
mA
IGND
DC Ground Current per Ground Pin
$100
mA
TSTG
Storage Temperature Range
*65 to )150
_C
TL
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
260
_C
TJ
Junction Temperature under Bias
)150
_C
qJA
Thermal Resistance
(Note 1)
TBD
_C/W
PD
Power Dissipation in Still Air at 85_C
TBD
mW
MSL
Moisture Sensitivity
Level 1
FR
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
VESD
ESD Withstand Voltage
Human Body Model (Note 2)
Machine Model (Note 3)
Charged Device Model (Note 4)
> 2000
> 200
N/A
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Measured with minimum pad spacing on an FR4 board, using 10 mmby1 inch, 2 ounce copper trace with no air flow.
2. Tested to EIA/JESD22A114A.
3. Tested to EIA/JESD22A115A.
4. Tested to JESD22C101A.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
VCC
Supply Voltage
Operating
Data Retention Only
1.65
1.5
5.5
V
VI
Input Voltage
(Note 5)
0
5.5
V
VO
Output Voltage
(HIGH or LOW State)
0
5.5
V
TA
Operating FreeAir Temperature
*40
)125
_C
Dt/DV
Input Transition Rise or Fall Rate
VCC = 1.8 V $0.15 V
VCC = 2.5 V $0.2 V
VCC = 3.0 V $0.3 V
VCC = 5.0 V $0.5 V
0
20
10
5
ns/V
5. Unused inputs may not be left open. All inputs must be tied to a high or lowlogic input voltage level.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NLX2GU04CMX1TCG | IC INVERTER DUAL UNBUFFER ULLGA6 |
| P1819BF-08ST | IC CLK EMI REDUCTION FREQ 8SOIC |
| P1P3800AG12CRTWG | IC CLOCK GENERATOR 12-WQFN |
| P1P8160AG-10CR | IC CLK GEN EMI MODULATOR 8-SOIC |
| P2042AF-08TR | 30-110MHZ 3.3V GP EMI |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NLX2GU04 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Unbuffered Inverter |
| NLX2GU04AMX1TCG | 功能描述:變換器 DUAL UNBUFF INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| NLX2GU04BMX1TCG | 功能描述:變換器 DUAL UNBUFF INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| NLX2GU04CMX1TCG | 功能描述:變換器 DUAL UNBUFF INVERTER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 電路數(shù)量:6 邏輯系列:74ABT 邏輯類型:BiCMOS 高電平輸出電流:- 15 mA 低電平輸出電流:20 mA 傳播延遲時(shí)間:2.2 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 工作溫度范圍: 封裝 / 箱體:DIP-14 封裝:Tube |
| NLX3G14 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Triple Schmitt-Trigger Inverter |
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