參數(shù)資料
型號： NE651R479A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 0.4糯L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 69K
代理商： NE651R479A
Data Sheet P13670EJ2V0DS00
5
NE651R479A
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE
f = 1.9 GHz (Unit: mm)
R
g
1 000 p
V
GS
V
DS
INPUT
OUTPUT
C1
2
6
3
5
43
12
3
50
LINE
C2
3
5
2
2
2
8
1 2
7
5
6
Tantalum Condenser
47 F
Tantalum Condenser
100 F
/4 OPEN STUB
λ
/4 LINE
λ
/4 OPEN STUB
λ
GND
f = 1.9 GH
Z
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
R
g
= 1 k
APPLICATION CIRCUIT EXAMPLE
f = 900 MHz (Unit: mm)
GND
f = 900 MH
Z
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
Substrate: Teflon glass ( r = 2.6)
t = 0.8 mm
C1 = 30 pF
C2 = 30 pF
C3 = 1 000 pF
C4 = 6 pF
C5 = 3 pF
C6 = 6 pF
C7 = 1 pF
R1 = 5.1
R2 = 30
R
g
= 1 k
INPUT
OUTPUT
C1
9
2
C4
50
LINE
5
3
2
2
C5
R2
C3
9
C2
C7
4
4
3
10
13
5
9
4
2
3
4
3
R1
4
3
C6
5
R
g
1 000 p
V
GS
V
DS
Tantalum Condenser
47 F
Tantalum Condenser
100 F
/4 OPEN STUB
λ
/4 LINE
λ
/4 OPEN STUB
λ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68000 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE651R479A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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