參數(shù)資料
型號： NE651R479A
廠商： NEC Corp.
英文描述： 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 0.4糯L波段功率GaAs黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： NE651R479A
Data Sheet P13670EJ2V0DS00
3
NE651R479A
TYPICAL RF PERFORMANCE FOR REFERENCE (NOT SPECIFIED)
(T
A
= +25
°
C, unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Output Power
P
out
f = 900 MHz, V
DS
= 3.5 V,
27.0
dBm
Drain Current
I
D
P
in
= +13 dBm, R
g
= 1 k
,
230
mA
Power Added Efficiency
η
add
I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
60
%
Linear Gain
Note
G
L
14.0
dB
Note
P
in
= 0 dBm
TYPICAL RF PERFORMANCE FOR REFERENCE (NOT SPECIFIED)
(T
A
= +25
°
C, unless otherwise specified, using NEC standard test fixture.)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Output Power
P
out
f = 1.9 GHz, V
DS
= 5.0 V,
29.5
dBm
Drain Current
I
D
P
in
= +15 dBm, R
g
= 1 k
,
350
mA
Power Added Efficiency
η
add
I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
58
%
Linear Gain
Note
G
L
12.0
dB
Note
P
in
= 0 dBm
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
I
D
P
out
V
DS
= 3.5 V
I
Dset
= 50 mA (RF OFF)
R
g
= 1 k
, f = 1.9 GHz
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
vs. INPUT POWER
O
o
D
D
Input Power P
in
(dBm)
30
25
20
15
10
5
500
400
300
200
100
0
25
20
15
10
5
0
–5
Remark
The graph indicates nominal characteristics.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68000 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE651R479A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW19 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW24 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.4 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE651R479A-EVPW35 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 3.5 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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