參數(shù)資料
型號(hào)： NE6510379A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
中文描述： 3瓦L波段功率GaAs黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 97K
代理商： NE6510379A-T1
Preliminary Data Sheet
3
NE6510379A
NE6510379A S-PARAMETERS TEST CONDITIONS: V
DS
= 3.5 V, I
Dset
= 200 mA (Preliminary Data)
S
11
S
21
S
12
S
22
freq. (MHz)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
0.958
0.956
0.954
0.956
0.953
0.952
0.951
0.949
0.949
0.952
0.954
0.945
0.947
0.949
0.946
0.947
0.949
178.7
178.1
177.1
176.0
175.3
174.4
173.9
173.2
172.2
170.6
169.4
168.3
166.9
165.0
163.5
161.2
160.1
1.601
1.374
1.210
1.087
0.966
0.869
0.818
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0.694
0.656
0.625
0.584
0.595
0.570
0.515
0.505
0.479
91.9
91.8
90.7
90.8
89.9
89.7
89.5
88.9
89.7
90.0
88.9
90.7
89.0
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86.3
85.2
92.7
0.017
0.017
0.017
0.017
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0.018
0.018
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0.020
0.020
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0.022
0.022
0.022
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36.6
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0.847
0.848
0.849
0.848
0.846
0.846
0.844
0.844
0.844
0.846
0.846
0.846
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177.3
176.6
176.1
175.3
174.6
173.8
172.9
172.1
171.3
170.4
169.6
168.5
167.4
166.1
164.9
163.7
162.1
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PDF描述
NE6510379A 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
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NE651R479A-T1 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE678M04 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE678M04-T2 MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE651R479A-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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NE651R479A-EVPW26 功能描述:射頻GaAs晶體管 For NE651R479A-A Power at 2.6 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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