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參數(shù)資料
| 型號： | NE650R279A |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
| 中文描述： | 0.2冊，S波段功率GaAs場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | NE650R279A |
Preliminary Data Sheet
5
NE650R279A
79A Package Dimensions (Unit: mm)
Source
Source
Gate
Gate
Drain
Drain
0.4
±
0.15
5.7 max.
5
0
±
0
0
±
0
4
4.2 max.
0
±
0
0
±
0
Bottom View
3.6
±
0.2
1.5
±
0.2
1
1
0.8 max.
79A Package Recommended P.C.B. Layout (Unit: mm)
Drain
Gate
Source
0.5
0.5
0
1
5
6.1
through hole 0.2
×
33
1
4.0
1.7
Stop up the hole with a rosin
or something to avoid solder
flow.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE650R479A-T1 | 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE650R479A | 0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE6510379A-T1 | 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
| NE6510379A | 3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
| NE651R479A | 0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE650R279A-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE650R479A | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE650R479A-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
| NE650R479A-T1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MESFET 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 15V 0.6A 4-Pin Case 79A T/R |
| NE6510179 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
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