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參數(shù)資料
| 型號： | NE5517DR2G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 9/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 放大器類型： | 跨導(dǎo) |
| 電路數(shù)： | 2 |
| 輸出類型： | 推挽式 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 50 V/µs |
| 增益帶寬積： | 2MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 400nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 400µV |
| 電流 - 電源： | 2.6mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 650µA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SOIC |
| 包裝： | 剪切帶 (CT) |
| 其它名稱： | NE5517DR2GOSCT |
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
3
NOTE: V+ of output buffers and amplifiers are internally connected.
B
AMP
BIAS
INPUT
B
DIODE
BIAS
B
INPUT
(+)
B
INPUT
()
B
OUTPUT
V+ (1)
B
BUFFER
INPUT
B
BUFFER
OUTPUT
AMP
BIAS
INPUT
DIODE
BIAS
INPUT
(+)
INPUT
()
OUTPUT
V
BUFFER
INPUT
BUFFER
OUTPUT
A
AA
A
123
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
+
B
+
A
Figure 2. Connection Diagram
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Supply Voltage (Note 1)
VS
44 VDC or ±22
V
NE5517N, NE5517AN
PD
1500
1125
mW
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient
D Package
N Package
RqJA
140
94
°C/W
Differential Input Voltage
VIN
±5.0
V
Diode Bias Current
ID
2.0
mA
Amplifier Bias Current
IABC
2.0
mA
Output Short-Circuit Duration
ISC
Indefinite
Buffer Output Current (Note 3)
IOUT
20
mA
Operating Temperature Range
NE5517N, NE5517AN
AU5517T
Tamb
0 °C to +70 °C
40 °C to +125 °C
°C
Operating Junction Temperature
TJ
150
°C
DC Input Voltage
VDC
+VS to VS
Storage Temperature Range
Tstg
65 °C to +150 °C
°C
Lead Soldering Temperature (10 sec max)
Tsld
230
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. For selections to a supply voltage above ±22 V, contact factory.
2. The following derating factors should be applied above 25 °C
N package at 10.6 mW/°C
D package at 7.1 mW/°C.
3. Buffer output current should be limited so as to not exceed package dissipation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FWJ-18-01-T-S | CONN HEADER .156" 18POS SNGL TIN |
| 929648-01-36-I | CONN HEADER 36POS R/A .100" GOLD |
| CRCW04024R87FKED | RES 4.87 OHM 1/16W 1% 0402 SMD |
| SMS24CT1G | TVS ARRAY 5LINE 350W SC74-6 |
| NCV33274ADR2G | IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE5517D-T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier |
| NE5517N | 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5517NG | 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube |
| NE5520279A | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| NE5520279A-A | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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