參數(shù)資料
型號： NE5517DR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 4/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
放大器類型： 跨導(dǎo)
電路數(shù)： 2
輸出類型： 推挽式
轉(zhuǎn)換速率： 50 V/µs
增益帶寬積： 2MHz
電流 - 輸入偏壓： 400nA
電壓 - 輸入偏移： 400µV
電流 - 電源： 2.6mA
電流 - 輸出 / 通道： 650µA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： NE5517DR2GOSCT
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
12
+VCC
+
NE5517/A
VOUT
VCC
+VCC
INT
VC
800pF
+
NE5517/A
+VCC
VCC
800pF
VCC
6
11
3
2
1
5
7
13
15
14
12
10
16
LOW
PASS
9
BANDPASS OUT
Figure 31. State Variable Filter
10kW
1kW
20kW
5.1kW
1kW
15kW
20kW
5.1kW
+VCC
+
NE5517/A
VOUT2
VCC
+VCC
INT
+
NE5517/A
+VCC
VCC
6
11
4
3
5
7
14
13
12
10
VOUT1
GAIN
CONTROL
1
16
VC
C
0.1mF
8
INT
+VCC
9
Figure 32. TriangleSquare Wave Generator (VCO)
30kW
20kW
47kW
10kW
IB
NOTE:
VPK +
(VC * 0.8) R1
R1 ) R2
TH +
2VPK xC
IB
TL +
2VPKxC
IC
fOSC
IC
2VPKxC
IC tt IB
+VCC
+
NE5517/A
VOUT2
VCC
+VCC
INT
+
NE5517/A
+VCC
VCC
6
11
4
3
5
7
14
13
12
10
VOUT1
1
16
VC
C
0.1mF
8
INT
+VCC
2
R1
R2
IC
Figure 33. Sawtooth Pulse VCO
470kW
30kW
20kW
30kW
47kW
30kW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FWJ-18-01-T-S CONN HEADER .156" 18POS SNGL TIN
929648-01-36-I CONN HEADER 36POS R/A .100" GOLD
CRCW04024R87FKED RES 4.87 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
SMS24CT1G TVS ARRAY 5LINE 350W SC74-6
NCV33274ADR2G IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE5517D-T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier
NE5517N 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517NG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5520279A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520279A-A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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