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參數(shù)資料
型號(hào)： NE5517DR2G
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
放大器類型： 跨導(dǎo)
電路數(shù)： 2
輸出類型： 推挽式
轉(zhuǎn)換速率： 50 V/µs
增益帶寬積： 2MHz
電流 - 輸入偏壓： 400nA
電壓 - 輸入偏移： 400µV
電流 - 電源： 2.6mA
電流 - 輸出 / 通道： 650µA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 16-SOIC
包裝： 剪切帶 (CT)
其它名稱： NE5517DR2GOSCT
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
13
ORDERING INFORMATION
Device
Temperature Range
Package
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AU5517DR2
40 to +125 °C
SOIC16
2500 Tape & Reel
AU5517DR2G
SOIC16
(PbFree)
NE5517D
0 to +70 °C
SOIC16
48 Units/Rail
NE5517DG
SOIC16
(PbFree)
NE5517DR2
SOIC16
2500 Tape & Reel
NE5517DR2G
SOIC16
(PbFree)
NE5517N
PDIP16
25 Units/Rail
NE5517NG
PDIP16
(PbFree)
NE5517AN
PDIP16
NE5517ANG
PDIP16
(PbFree)
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FWJ-18-01-T-S CONN HEADER .156" 18POS SNGL TIN
929648-01-36-I CONN HEADER 36POS R/A .100" GOLD
CRCW04024R87FKED RES 4.87 OHM 1/16W 1% 0402 SMD
SMS24CT1G TVS ARRAY 5LINE 350W SC74-6
NCV33274ADR2G IC OPAMP QUAD HS BIPO 14-SOIC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE5517D-T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transconductance Operational Amplifier
NE5517N 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5517NG 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
NE5520279A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520279A-A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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