參數(shù)資料
型號： NE46134
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： NE46134
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
1
(T
A
= 25
°
C)
NE46100, NE46134
NE46100
V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
FREQUENCY
(MHz)
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
2
(dB)
30.4
27.5
22.3
18.5
16.2
14.1
12.7
11.8
11.0
9.8
8.1
6.7
5.6
4.3
MAG
0.791
0.809
0.822
0.815
0.819
0.818
0.814
0.821
0.823
0.819
0.816
0.812
0.813
0.802
ANG
-139
-161
-177
176
173
170
167
164
161
159
153
148
142
137
MAG
29.278
15.503
6.280
3.939
3.176
2.621
2.255
1.990
1.786
1.585
1.304
1.085
0.937
0.824
ANG
112
98
84
76
71
67
62
58
54
50
40
31
23
15
MAG
0.027
0.027
0.037
0.046
0.055
0.064
0.070
0.078
0.090
0.097
0.113
0.139
0.153
0.168
ANG
30
32
43
48
50
54
52
52
53
52
51
47
45
42
MAG
0.508
0.433
0.414
0.408
0.411
0.412
0.418
0.430
0.434
0.429
0.458
0.484
0.501
0.520
ANG
-109
-140
-165
-171
-174
-176
-178
-180
179
177
174
171
168
165
0.22
0.43
0.81
1.02
1.05
1.11
1.16
1.14
1.11
1.15
1.18
1.13
1.14
1.18
V
CE
= 12.5 V, l
C
=
50 mA
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
0.759
0.806
0.815
0.813
0.814
0.816
0.810
0.817
0.816
0.817
0.811
0.809
0.811
0.803
-129
-155
-175
178
174
171
168
165
163
160
154
149
143
137
28.230
15.378
6.261
3.926
3.179
2.629
2.266
1.993
1.770
1.592
1.301
1.084
0.934
0.816
116
101
85
76
71
67
62
58
53
49
40
30
22
13
0.032
0.035
0.041
0.052
0.058
0.067
0.071
0.079
0.087
0.090
0.109
0.131
0.150
0.166
30
31
34
44
45
47
46
47
49
51
50
46
45
42
0.543
0.420
0.380
0.379
0.375
0.382
0.385
0.400
0.408
0.408
0.441
0.459
0.482
0.514
-96
-130
-159
-167
-171
-172
-174
-175
-176
-178
179
176
172
169
0.21
0.35
0.71
0.91
1.00
1.03
1.12
1.11
1.13
1.20
1.20
1.17
1.15
1.17
29.5
26.4
21.9
18.8
17.1
14.8
12.9
12.0
10.9
9.8
8.0
6.7
5.6
4.4
V
CE
= 12.5 V, l
C
= 100 mA
100
200
500
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2500
3000
3500
4000
Notes:
1. S-Parameters include Bond wires.
Base:
Total 1 wire, 1 per Bond Pad, 0.0259" (658
μ
m) long each wire.
Collector:
Total 1 wire, 1 per Bond Pad, 0.0182 “ (463
μ
m) long each wire.
Emitter:
Total 2 wires, 1 per side, 0.0224" (569
μ
m) long each wire.
Wire:
0.0007" (17.8
μ
m) dia., gold.
2. Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
0.785
0.804
0.814
0.809
0.815
0.813
0.811
0.818
0.814
0.813
0.805
0.813
0.807
0.802
-138
-160
-177
176
173
170
167
164
162
160
154
148
142
137
29.375
15.593
6.318
3.951
3.193
2.656
2.264
1.997
1.797
1.613
1.316
1.091
0.948
0.826
112
98
84
76
71
67
62
58
54
49
40
31
23
14
0.027
0.030
0.040
0.048
0.057
0.060
0.073
0.076
0.090
0.094
0.113
0.133
0.156
0.164
25
32
42
48
52
53
51
55
54
50
52
46
45
40
0.510
0.421
0.401
0.398
0.400
0.403
0.411
0.416
0.421
0.424
0.442
0.470
0.481
0.510
-109
-140
-164
-171
-174
-177
-178
-180
180
178
175
172
169
166
0.21
0.43
0.78
1.02
1.05
1.17
1.13
1.19
1.14
1.18
1.22
1.15
1.15
1.19
30.4
27.1
22.0
18.3
16.1
14.0
12.7
11.6
10.7
9.8
7.9
6.7
5.5
4.4
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K ±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關PDF資料
PDF描述
NE46134-T1 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE52118-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE521DG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
NE521DR2 High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NE46134-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE461M02 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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