參數(shù)資料
型號(hào)： NE46134
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： NE46134
NE46100, NE46134
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
Collector Current, I
C
(mA)
Total P
IN
= 6.0 dBm
F
1
= 1.0 GHz, F
2
= 0.99 GHz
Note: IM
5
> than 58 dB down from carrier for
measured currents greater than 40 mA.
Collector Current, I
C
(mA)
2 Tone Test
Total P
IN
= 12.1 dBm
F
1
= 1.0 GHz, F
2
= 0.99 GHz
I
3
(
I
5
(
I
3
-5 0 5 10 15 20 25 30
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
-10.0
-20.0
-30.0
-40.0
-50.0
1 Tone
2 Tone
IM
3
IM
5
P
OUT
(Total)
IP
3
32.6 dBm
P
O
/
P
O
/
Input Power, P
IN
Total (dBm)
Input Power, P
IN
Total (dBm)
G
Collector Current, I
C
(mA)
3
R
O
3
-
N
O
2
+
N
2
-
Collector Current, I
C
(mA)
NE46134
3RD ORDER INTERMODULATION DISTORTION,
2ND ORDER INTERMODULATION DISTORTION
(+ AND -) vs. COLLECTOR CURRENT
NE46100, NE46134
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 10 V
10
NE46134
TYPICAL OUTPUT
POWER/INTERMODULATION
DISTORTION vs. INPUT POWER
f = 1.0 GHz, V
CE
= 10 V, I
C
= 100 mA
2 Tone Test F
1
= 1.0 GHz, F
2
= 0.99 GHz
NE46134
TYPICAL OUTPUT
POWER/INTERMODULATION
DISTORTION vs. INPUT POWER
f = 1.0 GHz, V
CE
= 5 V, I
C
= 100 mA
2 Tone Test F
1
= 1.0 GHz, F
2
= 0.99 GHz
NE46100, NE46134
INTERMODULATION DISTORTION
vs. COLLECTOR CURRENT
f = 1.0 GHz, V
CE
= 10 V
NE46100, NE46134
INTERMODULATION DISTORTION vs.
COLLECTOR CURRENT
f = 1.0 GHz, V
CE
= 5 V
5 10 50 100 300
5
1
0.2
0.5
0 40 80 120 160
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
IM
3
IM
5
-5 0 5 10 15 20 25 30
40.0
30.0
20.0
10.0
0.0
-10.0
-20.0
-30.0
-40.0
-50.0
1 Tone
2 Tone
IM
3
IM
5
P
OUT
(Total)
IP
3
32.6 dBm
0 40 80 120 160
0
-10
-20
-30
-40
-50
IM
3
IM
2
+
IM2-
IM
3
: V
O
=
110 dB
μ
V/75
2 tone each
f = 2 x 190 MHz - 200 MHz
IM
2
+: V
O
= 105 dB
μ
V/75
2 tone each
f = 90 MHz + 100 MHz
IM
2
-: V
O
= 105 dB
μ
V/75
2 tone each
f = 190 MHz - 90 MHz
10 50 100 300
80
70
60
50
40
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE46134-T1 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE52118-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE521DG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
NE521DR2 High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE46134-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE461M02 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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