參數(shù)資料
型號(hào)： NE46134
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍npn型中功率微波晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： NE46134
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25
°
C)
SYMBOLS
PARAMETERS
V
CBO
Collector to Base Voltage
V
CEO
Collector to Emitter Voltage
V
EBO
Emitter to Base Voltage
I
C
Collector Current
P
T
Total Power Dissipation
NE46100
2
NE46134
3
T
J
Junction Temperature
NE46100
NE46134
T
STG
Storage Temperature
NE46100
NE46134
UNITS
V
V
V
mA
RATINGS
30
15
3
250
W
W
3.75
2.0
°
C
°
C
200
150
°
C
°
C
-65 to +200
-65 to +150
NE46100, NE46134
COLLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector to Emitter Voltage, V
CE
(V)
C
C
Notes:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result in
permanent damage.
2. Chip mounted on an infinite heat sink (see AN-1001 for handling
instructions).
3. Packaged device mounted on 0.7 mm x 2.5 cm
2
double sided
ceramic substrate (copper plating).
NE46100, NE46134
NE46100, NE46134
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 10 V, f = 1 GHz
5
N
T
T
NE46100, NE46134
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Collector Current, Ic (mA)
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
NE46134
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQ.
NF
OPT
G
A
(GHz)
(dB)
(dB)
V
CC
= 10 V, I
C
= 50 mA
Γ
OPT
MAG
ANG
RN/50
0.5
1.5
13.5
0.34
-176
0.09
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
=25
°
C)
I
2
|
2
M
NE46134
INSERTION POWER GAIN AND MAXIMUM
AVAILABLE GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 10 V, f = 1 GHz
10
Collector Current, I
C
(mA)
R
S
= R
L
= 50
Untuned
MAG
|S
21
E
|
2
0 50 100 300
8
6
4
2
0
0 10 20
100
80
60
40
20
0
I
B
= 0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
0.1 mA
0 50 100 150 200
85
87.5
4.0
3.75
3.0
2.0
1.0
0.4
NE46100
R
TH (J-C)
30C/W
WITH INFINITE
HEAT SINK
NE46134
R
TH (J-C)
32.5C/W
WITH INFINITE
HEAT SINK
NE46134
R
TH (J-A)
312.5C/W
WITH INFINITE
HEAT SINK
0
5 10 100 200
4
3
2
1
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE46134-T1 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE52118-T1 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
NE521DG High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
NE521DR2 High−Speed Dual−Differential Comparator/Sense Amp
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE46134-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN Med Pwr Hi-Freq RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE46134-T1-QS-AZ 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN High Frequency QS Rating RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
NE461M02 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*