參數(shù)資料
型號： NE34018-T2
廠商： NEC Corp.
英文描述： L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： 募到S波段低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管
文件頁數(shù)： 2/16頁
文件大小： 114K
代理商： NE34018-T2
2
NE34018
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T
A
= 25
q
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DS
2
3
V
Drain Current
I
D
5
30
mA
Input Power
P
in
+10
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
q
C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Gate to Source Leak Current
I
GSO
e
0.5
10
P
A
V
GS
=
e
3 V
Saturated Drain Current
I
DSS
30
120
mA
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
Gate to Source Cut off Voltage
V
GS(off)
e
0.2
e
0.8
e
2.0
V
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
P
A
Transconductance
gm
30
e
mS
V
DS
= 2 V, I
D
= 5 mA
Noise Figure
NF
0.6
1.0
dB
V
DS
= 2 V, I
D
= 5 mA, f = 2 GHz
Associated Gain
Ga
14
16
dB
Power Gain
Gs
18
dB
Output Power at 1dB Gain
Compression Point
P
(1dB)
15
dBm
V
DS
= 3 V. I
DS
= 30 mA (RF off)
f = 2 GHz
I
DSS
CLASSIFICATION
RANK
I
DSS
(mA)
MARKING
63
30 to 65
V63
64
60 to 120
V64
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PDF描述
NE416 NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR
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NE350184C 功能描述:射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體:
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