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參數(shù)資料
| 型號： | NE34018-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 中文描述： | 募到S波段低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 15/16頁 |
| 文件大小： | 114K |
| 代理商： | NE34018-T2 |
15
NE34018
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE416 | NPN MEDIUM POWER UHF-VHF TRANSISTOR |
| NE4210M01-T1 | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| NE42484A | NONLINEAR MODEL |
| NE46100 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
| NE46134 | NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NE34018-TI-64-A | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
| NE350184C | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE350184C(A) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| NE350184C-A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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