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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NCN6001DTBR2G |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC INTERFACE SMART CARD 20TSSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 應(yīng)用： | 智能卡 |
| 接口： | 微控制器 |
| 電源電壓： | 2.75 V ~ 5.5 V |
| 封裝/外殼： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 20-TSSOP |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 其它名稱： | NCN6001DTBR2GOSDKR |
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NCN6001
http://onsemi.com
8
DIGITAL PARAMETERS @ 2.7 V < VCC < 5.5 V (25C to +85C ambient temperature, unless otherwise noted).
Note: Digital inputs undershoot < 0.3 V to ground, Digital inputs overshoot < 0.3 V to VCC.
Rating
Pin
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Input Asynchronous Clock Duty Cycle = 50%
@ VCC = 3.0 V Over the Temperature Range
@ VCC = 5.0 V Over the Temperature Range
3
FCLKIN
30
40
MHz
Input Clock Rise Time
Input Clock Fall Time
3
Ftr
Ftf
2.5
ns
Input SPI Clock
5
FCLKSPI
15
MHz
Input CLK_SPI Rise/Fall Time @ Cout = 30 pF
5
trspi, tfspi
12
ns
Input MOSI Rise/Fall Time @ Cout = 30 pF
4
trmosi,
tfmosi
12
ns
Output MISO Rise/Fall Time @ Cout = 30 pF
7
trmiso,
tfmiso
12
ns
Input CS Rise/Fall Time
8
trstr, tfstr
12
ns
I/O Data Transfer Switching Time, both directions
(I/O and CRD_IO), @ Cout = 30 pF
I/O Rise Time * (Note 4)
I/O Fall Time
1, 20
tRIO
tFIO
0.8
ms
INT Pullup Resistance
2
RITA
20
50
80
kW
Positive Going Input High Voltage Threshold
(CLK_IN, MOSI, CLK_SPI, EN_RPU, CS)
2, 3, 4, 5,
6, 8
VIA
0.70 * VCC
VCC
V
Negative Going Input High Voltage Threshold
(CLK_IN, MOSI, CLK_SPI, EN_RPU, CS)
2, 3, 4, 5,
6, 8
VILLA
0
0.3 * VCC
V
Output High Voltage
INT, MISO @ OH = 10 mA
2, 7
VOH
VCC 1.0 V
VCC
V
Output Low Voltage
INT, MISO @ OH = 200 mA
2, 7
VOL
0.4
V
Delay Between Two Consecutive CLK_SPI Sequence
5
tdclk
33
ns
3. Since a 20 kW (typical) pullup resistor is provided by the NCN6001, the external MPU can use an Open Drain connection. On the other hand,
NMOS smart cards can be used straightforward.
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