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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512W3B3CZA6E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 49/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | NAND512W3B3CZA6E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 39. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline,12x17 mm, Package Outline
Note: Drawing not to scale.
Table 27. USOP48 – lead Plastic Ultra Thin Small Outline, 12x17mm,
Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
0.48
0.65
0.019
0.026
A1
0.00
0.10
0.000
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b
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c
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D1
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ddd
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E
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0.602
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e
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–
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–
L
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0.026
L1
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–
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–
q0
5
0
5
WSOP-A
b
e
DIE
c
A1
θ
E1
E
A
A2
1
24
48
25
D1
ddd
L1
L
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GR3B2CZC6T | 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR3B3BZC6E | 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR3B3CN1E | 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND08GW4B2CZC1F | 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GW4B3AZC6 | 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512W4A0AN6E | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W4A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays |
| NAND64GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND64GW3FGAZN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel |
| NAND98R3M0CZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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