參數(shù)資料
型號: NAND512W3A0CZB6
廠商: NUMONYX
元件分類: PROM
英文描述: 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
封裝: 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, TFBGA-55
文件頁數(shù): 16/57頁
文件大?。?/td> 916K
代理商: NAND512W3A0CZB6
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 13. Read (A,B,C) Operations
Figure 14. Read Block Diagrams
Note: 1. Highest address depends on device density.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
00h/
01h/ 50h
ai07595
Busy
Command
Code
Address Input
Data Output (sequentially)
tBLBH1
(read)
AI07596
A0-A7
A9-A26(1)
Area A
(1st half Page)
Read A Command, X8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
A0-A7
Read A Command, X16 Devices
A0-A7
Read B Command, X8 Devices
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Read C Command, X8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
A9-A26(1)
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
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NAND512W3A2CE06 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel