參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3A2CZA6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁(yè)面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁(yè)數(shù)： 46/57頁(yè)
文件大小： 410K
代理商： NAND512R3A2CZA6T
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
46/57
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
Figures
35
,
34
and
36
show the electrical charac-
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor R
P
can be calculated using
the following equation:
So,
where I
L
is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. R
P
max is
determined by the maximum value of t
r
.
Figure 34. Ready/Busy AC Waveform
Figure 35. Ready/Busy Load Circuit
Figure 36. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
RPmin
-VDDmax
VOLmax
IL
–
+
(
)
IOL
=
RPmin 1.8V
)
3mA
IL
+
-----1.85V
=
RPmin 3V
)
8mA
IL
+
------3.2V
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
Open Drain Output
DEVICE
ibusy
ai07565B
RP (K
)
1
2
3
4
100
300
200
t
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
1.7
1.7
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K
)
1
2
3
4
100
300
200
1
2
3
i
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
3.6
3.6
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t
i
60
90
0.57
120
0.43
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PDF描述
NAND512R4A0CZA1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512R4A0CZA1T 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W3A0CZB1 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W4M5CZC5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND512R4M2CZB5E 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
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