參數(shù)資料
型號： NAND128W3A0CZB1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 35/57頁
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代理商： NAND128W3A0CZB1
35/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Table 18. DC Characteristics, 1.8V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
DD1
Operating
Current
Sequential
Read
t
RLRL
minimum
E=V
IL,
I
OUT
= 0 mA
-
8
15
mA
I
DD2
Program
-
-
8
15
mA
I
DD3
Erase
-
-
8
15
mA
I
DD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=V
DD
-0.2,
WP=0/V
DD
-
10
50
μA
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
μA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 0 to V
DD
max
-
-
±10
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 0 to V
DD
max
-
-
±10
μA
V
IH
Input High Voltage
-
V
DD
-0.4
-
V
DD
+0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
V
OH
Output High Voltage Level
I
OH
= -100μA
V
DD
-0.1
-
-
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 100μA
-
-
0.1
V
I
OL
(RB)
Output Low Current (RB)
V
OL
= 0.2V
3
4
mA
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
-
-
1.5
V
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