參數(shù)資料
型號： NAND08GW4B3BN6T
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 50/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND08GW4B3BN6T
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
54/59
Figure 40. VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Note: Drawing is not to scale
Table 28. VFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.05
0.0413
A1
0.25
0.0098
A2
0.70
0.0276
b
0.45
0.40
0.50
0.0177
0.0157
0.0197
D
9.50
9.40
9.60
0.3740
0.3701
0.3780
D1
4.00
0.1575
D2
7.20
0.2835
ddd
0.10
0.0039
E
12.00
11.90
12.10
0.4724
0.4685
0.4764
E1
5.60
0.2205
E2
8.80
0.3465
e0.80–
–
0.0315
–
FD
2.75
0.1083
FD1
1.15
0.0453
FE
3.20
0.1260
FE1
1.60
0.0630
SD
0.40
0.0157
SE
0.40
0.0157
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z67
ddd
FD
D1
E1
e
FE
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GR3B2AN1F 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
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NAND02GW4B2AN1T 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR4B2CN1F 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
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參數(shù)描述
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NAND128W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A0AN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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