參數(shù)資料
型號： NAND01GW4B3CZA1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 59/59頁
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代理商： NAND01GW4B3CZA1E
9/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 3. Logic Diagram
Table 3. Signal Names
AI09372b
W
I/O8-I/O15, x16
VDD
NAND Flash
E
VSS
WP
AL
CL
RB
R
I/O0-I/O7, x8/x16
PRL
I/O8-15
Data Input/Outputs for x16 devices
I/O0-7
Data Input/Outputs, Address Inputs,
or Command Inputs for x8 and x16
devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
Write Enable
WP
Write Protect
PRL
Power-Up Read Enable, Lock/Unlock
Enable
VDD
Supply Voltage
VSS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GR4B2AZC6E 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND512R3B3CZA6 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR4B3CZA1E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GR4B3CZA6E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND01GW4B3BN6T 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND01GW4BZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1G, 3V, NAND, VFBGA63, IND - Trays
NAND01GW4M0AZB5E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
NAND01GW4M0AZB5F 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP
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