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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GW4B3CZA1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/59頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | NAND01GW4B3CZA1E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 6. FBGA63 Connections, x8 devices (Top view through package)
AI09376
I/O7
WP
I/O4
I/O3
NC
VDD
I/O5
VDD
NC
H
VSS
I/O6
D
E
CL
C
NC
B
DU
NC
W
NC
A
8
7
6
5
4
3
2
1
NC
G
F
E
I/O0
AL
DU
NC
VSS
NC
RB
I/O2
DU
NC
DU
I/O1
10
9
R
NC
PRL
NC
VSS
DU
M
L
K
J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND08GR4B2AZC6E | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R3B3CZA6 | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR4B3CZA6E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GW4B3BN6T | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GW4BZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:1G, 3V, NAND, VFBGA63, IND - Trays |
| NAND01GW4M0AZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GW4M0AZB5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GW4M0AZC5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GW4M0AZC5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
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