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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GR4B3CZA1E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封裝： | 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63 |
| 文件頁數(shù)： | 36/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | NAND01GR4B3CZA1E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 22. DC Characteristics, 1.8V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-
8
15
mA
IDD2
Program
-
8
15
mA
IDD3
Erase
-
8
15
mA
IDD5
Standby Current (CMOS)
E=VDD-0.2,
WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
VDD-0.4
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B3CZA6E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GW4B3BN6T | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GW4B3CZA1E | 64M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR4B2BZC6T | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR4B3BN1 | 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4M0AZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0AZB5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0AZC5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0AZC5F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| NAND01GR4M0BZB5E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
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