- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄189001 > NAND01GR4B2CV6T (STMICROELECTRONICS) 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND01GR4B2CV6T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 9/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 943K |
| 代理商： | NAND01GR4B2CV6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁當前第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁
17/58
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 8. Address Definitions, x8
Table 9. Address Definitions, x16
Address
Definition
A0 - A11
Column Address
A12 - A17
Page Address
A18 - A26
Block Address
512Mb device
A18 - A27
Block Address
1Gb device
A18 - A28
Block Address
2Gb device
A18 - A29
Block Address
4Gb device
A18 - A30
Block Address
8Gb device
Address
Definition
A0 - A10
Column Address
A11 - A16
Page Address
A17 - A25
Block Address
512Mb device
A17 - A26
Block Address
1Gb device
A17 - A27
Block Address
2Gb device
A17 - A28
Block Address
4Gb device
A17 - A29
Block Address
8Gb device
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A2CZB6E | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R4A0BZA6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512R4A0BZB6 | 32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2CZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2CZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2CZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。