參數(shù)資料
型號(hào)： NAND01GR4B2BV1E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 35/58頁(yè)
文件大小： 943K
代理商： NAND01GR4B2BV1E
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
40/58
Figure 25. Equivalent Testing Circuit for AC Characteristics Measurement
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.1
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ai11085
NAND Flash
CL
2Rref
VDD
2Rref
GND
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W4B2BN6T 32M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48
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NAND01GR4B2CV6T 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48
NAND01GR4B2CZA1E 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
NAND01GW3A0BZB1 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
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參數(shù)描述
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NAND01GR4B2BZA1E 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA1F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZA6E 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
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