- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄189001 > NAND01GR4B2BV1E (NUMONYX) 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND01GR4B2BV1E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 24/58頁 |
| 文件大小： | 943K |
| 代理商： | NAND01GR4B2BV1E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
30/58
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes three steps are re-
quired:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output
the data (as shown in Table 14., Electronic
Table 14. Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer Code
Device code
NAND512R3B
20h
A2h
Reserved
80h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access Time
Block Size
Organization
(seeTable 15.)
NAND512W3B
F2h
NAND512R4B
0020h
B2h
NAND512W4B
C2h
NAND01GR3B
20h
A1h
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
NAND04GR3B
20h
ACh
NAND04GW3B
DCh
NAND04GR4B
0020h
BCh
NAND04GW4B
CCh
NAND08GR3B
20h
A3h
NAND08GW3B
D3h
NAND08GR4B
0020h
B3h
NAND08GW4B
C3h
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W4B2BN6T | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2BV1T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CV6T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4B2CZA1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63 |
| NAND01GW3A0BZB1 | 128M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND01GR4B2BZA1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA1E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| NAND01GR4B2BZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| NAND01GR4B2BZA6E | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
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