參數(shù)資料
型號(hào)： MW6S010GMR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 542K
代理商： MW6S010GMR1
MW6S010NR1 MW6S010GNR1 MW6S010MR1 MW6S010GMR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
— 450 MHz
I
A
500
400
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 16. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 3 Watts Avg.
21
6
9
12
15
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 3 W (Avg.), I
DQ
= 150 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
18.4
20.4
65
37
34
31
28
40
45
50
55
η
D
,
E
η
D
G
p
,
25
60
18
20.2
20
19.8
19.6
19.4
19.2
19
18.8
18.6
410
420
430
440
450
460
470
480
490
ALT1
IRL
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 17. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 7.5 Watts Avg.
η
D
50
I
A
500
400
14
4
6
8
10
16.5
19
55
55
50
45
40
30
35
40
45
η
D
,
E
G
p
,
35
12
18.8
18.5
18.3
18
17.8
17.5
17.3
17
16.8
410
420
430
440
450
460
470
480
490
S11
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 18. Broadband Frequency Response
V
DD
= 28 Vdc
P
out
= 10 W
I
DQ
= 150 mA
650
50
5
30
25
0
5
15
20
S
S
10
25
20
15
10
100 150 200 250 300 350 400 450 500
S21
550 600
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 7.5 W (Avg.), I
DQ
= 150 mA
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing,
3.84 MHz Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
ALT1
ACPR
G
ps
Figure 19. Single-Carrier N-CDMA ACPR, ALT1
and ALT2 versus Output Power
80
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
10
20
30
40
70
0.1
1
10
50
ACPR
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 150 mA,
f = 450 MHz, NCDMA IS95 Pilot,
Sync, Paging, Traffic Codes 8
Through 13
A
A
60
ALT2
ALT1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW6S010GNR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010MR1 RF Power Field Effect Transistor
MW6S010NR1 RF Power Field Effect Transistor
MW7IC18100GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW7IC2240GNR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MW6S010GNR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010GNR1-CUT TAPE 制造商:Freescale 功能描述:MW6S010 Series 450-1500 MHz 10 W 28 V Lateral N-Ch RF Power MOSFET
MW6S010MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MW6S010NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W TO270-2N RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MW6S010NR1_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*