參數(shù)資料
型號: MW6S004NT1
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: RF Power Field Effect Transistor
中文描述: RF功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 10/13頁
文件大?。?/td> 504K
代理商: MW6S004NT1
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW6S004NT1
Table 7. Common Source Scattering Parameters (V
DD
= 28 V, 50 ohm system) (continued)
I
DQ
= 50 mA
f
MHz
S
11
S
21
S
12
S
22
|S
11
|
∠ φ
|S
21
|
∠ φ
|S
12
|
∠ φ
|S
22
|
∠ φ
2500
0.952
150.340
1.211
-25.120
0.006
84.160
0.899
-179.270
2550
0.950
149.010
1.187
-26.920
0.006
80.780
0.897
179.420
2600
0.949
147.380
1.166
-28.650
0.006
77.880
0.897
178.120
2650
0.948
145.920
1.144
-30.420
0.007
74.670
0.898
176.840
2700
0.944
144.200
1.121
-32.310
0.007
71.360
0.896
175.480
2750
0.944
142.790
1.105
-34.230
0.007
67.980
0.897
174.060
2800
0.943
141.020
1.088
-36.000
0.007
63.950
0.897
172.930
2850
0.941
139.410
1.073
-37.870
0.007
61.230
0.896
171.630
2900
0.940
137.640
1.058
-39.760
0.008
59.810
0.896
170.330
2950
0.938
135.900
1.045
-41.680
0.008
58.280
0.896
169.040
3000
0.937
133.860
1.032
-43.610
0.008
56.740
0.895
167.510
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