參數(shù)資料
型號： MW5IC2030NBR1_065
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 9/20頁
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代理商： MW5IC2030NBR1_065
MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
2050
6.4 + j0.4
1990
Figure 21. Series Equivalent Input and Load Impedance
f
MHz
Z
in
Ω
Z
load
Ω
1800
1850
1930
6.9 - j0.3
6.7 - j0.1
6.9 - j0.3
49.7 - j9.3
47.7 - j9.8
44.8 - j8.5
V
DD
= 27 V, I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA
Z
o
= 50
Ω
Z
load
*
f = 1800 MHz
f = 2200 MHz
Z
in
f = 2200 MHz
f = 1800 MHz
1960
6.6 + j0.1
6.6 - j0.0
44.0 - j7.3
44.6 - j5.6
Z
in
=
Device input impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zin
Zload
Device
Under Test
Output
Matching
Network
45.7 - j8.6
2150
2100
6.1 + j1.1
6.2 + j0.8
42.5 - j8.3
40.6 - j6.8
2200
6.0 + j1.6
39.3 - j5.0
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PDF描述
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