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參數(shù)資料
| 型號： | MW5IC2030NBR1_065 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/20頁 |
| 文件大小： | 671K |
| 代理商： | MW5IC2030NBR1_065 |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
Table 1. Maximum Ratings
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
-0.5, +65
Vdc
Gate-Source Voltage
V
GS
-0.5, +15
Vdc
Storage Temperature Range
T
stg
-65 to +175
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
Input Power
P
in
20
dBm
Table 2. Thermal Characteristics
Characteristic
Symbol
Value
(1,2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
CDMA Application
(P
out
= 5 W CW)
Stage 1, 27 Vdc, I
DQ
= 160 mA
Stage 2, 27 Vdc, I
DQ
= 230 mA
PHS Application
(P
out
= 12.6 W CW)
Table 3. ESD Protection Characteristics
Stage 1, 26 Vdc, I
DQ
= 300 mA
Stage 2, 26 Vdc, I
DQ
= 1300 mA
R
θ
JC
4.89
1.75
4.85
1.61
°
C/W
Test Conditions
Class
Human Body Model
1B (Minimum)
Machine Model
A (Minimum)
Charge Device Model
3 (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
CDMA Functional Tests
(In Freescale 1900 MHz Test Fixture, 50
ο
hm system) V
DD
= 27 Vdc, I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA, P
out
=
5 W Avg., 1960 MHz, Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Channel Bandwidth
@
±
885 kHz Offset. PAR = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
21.5
23
—
dB
Drain Efficiency
η
D
18
20
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-18
-10
dB
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-49
-47
dBc
Gain Flatness in 30 MHz BW, 1930-1990 MHz
G
F
—
0.2
0.3
dB
1. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Tools/Software/Application Software/Calculators to access
the MTTF calculators by product.
2. Refer to AN1955,
Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers.
Go to http://www.freescale.com/rf.
Select Documentation/Application Notes - AN1955.
(continued)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW5IC970NBR1 | RF LDMOS Wideband 2-Stage Power Amplifiers |
| MW60B-24S15 | Analog IC |
| LWA3-12S33 | Analog IC |
| LWA3-24S33 | Analog IC |
| LWA3-48S33 | Analog IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MW5IC970GNBR1 | 功能描述:射頻放大器 HV5IC 70W TO272WB16GN RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW5IC970MBR1 | 功能描述:IC PWR AMP RF 28V 70W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW5IC970NBR1 | 功能描述:射頻放大器 HV5IC 900MHZ 70W TO272WB RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| MW5IC970NBR1_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband 2-Stage Power Amplifiers |
| MW5IC970NBR1_10 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband 2-Stage Power Amplifiers |
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