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參數(shù)資料
| 型號： | MW5IC2030GNBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| 中文描述： | 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 483K |
| 代理商： | MW5IC2030GNBR1 |
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
20
1920
27
T
C
= 30 C
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 15. Power Gain versus Frequency
Gp
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 5 W (CW), I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA
f1 = 1960 MHz, f2 = 1960.1 MHz, TwoTone Measurements
25 C
85 C
26
25
24
23
22
21
1930
1940
1950
1960
1970
1980
1990
100
0
8
1
0
40
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 16. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
E
V
DD
= 27 Vdc
I
DQ1
= 160 mA
I
DQ2
= 230 mA
f = 1960 MHz
25 C
85 C
T
C
= 30 C
Source EVM = 0.60%
6
30
4
20
2
10
10
100
85
45
0
25 C
SR @ 400 kHz
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 17. Spectral Regrowth at 400 kHz and 600 kHz
versus Output Power
V
DD
= 27 Vdc
I
DQ1
= 160 mA
I
DQ2
= 230 mA
f = 1960 MHz
EDGE Modulation
SR @ 600 kHz
25 C
85 C
85 C
50
55
60
65
70
75
80
10
T
C
= 30 C
30 C
S
40
80
40
22
ALT2
P
out
, IS95 OUTPUT POWER (dBm)
Figure 18. Single-Carrier N-CDMA ACPR,
ALT1 and ALT2 versus Output Power
V
DD
= 27 Vdc
I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA
f = 1960 MHz
NCDMA IS95 (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 Through 13)
ACPR
ALT1
45
50
55
60
65
70
75
23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39
A
A
100
60
10
0
25 C
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 19. Insertion Phase versus Output Power
I
T
C
= 30 C
85 C
20
30
40
50
1
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
Figure 20. MTTF Factor versus Junction Temperature
190
1.E+09
90
1st Stage
M
2
)
2nd Stage
100
110
120
130
140
150
160
170
180
1.E+08
1.E+07
1.E+06
η
D
η
D
,
D
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MW5IC2030M | MW5IC2030MBR1. MW5IC2030GMBR1 1930-1990 MHz. 30 W. 26 V. GSM/GSM EDGE. W-CDMA. PHS. RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
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| MW5IC970NBR1 | RF LDMOS Wideband 2-Stage Power Amplifiers |
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| LWA3-12S33 | Analog IC |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MW5IC2030MBR1_06 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers |
| MW5IC2030MBR5 | 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 30W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR) |
| MW5IC2030NBR1 | 功能描述:射頻放大器 1.9GHZ RFIC TO272WBN RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
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