參數(shù)資料
型號(hào)： MW5IC2030GNBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
中文描述： 射頻LDMOS寬帶集成功率放大器
文件頁數(shù)： 7/16頁
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代理商： MW5IC2030GNBR1
MW5IC2030NBR1 MW5IC2030GNBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
60
15
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
I
I
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 30 W (PEP), I
DQ1
= 160 mA,
I
DQ2
= 230 mA, TwoTone Measurements
(f1 + f2/2) = Center Frequency of 1960 MHz
5th Order
3rd Order
20
25
30
35
40
45
50
55
1
10
27
39
50
15
25 C
P3dB = 44.91 dBm (31 W)
Ideal
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 10. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Po
V
DD
= 27 Vdc
I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on),
1 msec(off)
f = 1960 MHz
Actual
P1dB = 44.69 dBm (29.5 W)
30 C
85 C
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
41
0
30
29
55
25
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power
Gain, and Drain Efficiency versus Output Power
25
30
20
35
15
40
10
45
5
50
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
I
100
17
27
0
0
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
Gp
V
DD
= 27 Vdc
I
DQ1
= 160 mA
I
DQ2
= 230 mA
f = 1960 MHz
30 C
25 C
85 C
T
C
= 30 C
25 C
85 C
26
45
25
40
24
35
23
30
22
25
21
20
20
15
19
10
18
5
1
10
G
ps
60
15
25
0
V
DD
= 12 V
24 V
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 13. Power Gain versus Output Power
Gp
I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA
f = 1960 MHz
28 V
32 V
24
23
22
21
20
19
18
17
16
20
40
3000
30
40
1000
35
0
S21
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 14. Broadband Frequency Response
S
S
S11
1500
2000
2500
30
5
20
10
10
15
0
20
10
25
20
30
η
D
η
D
,
D
G
ps
ACPR
IM3
η
D
2Carrier WCDMA, 10 MHz
Carrier Spacing, 3.84 MHz Channel
Bandwidth, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
V
DD
= 27 Vdc, I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA, f = 1960 MHz
V
DD
= 27 Vdc, P
out
= 30 W
I
DQ1
= 160 mA, I
DQ2
= 230 mA
η
D
,
p
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MW5IC2030M MW5IC2030MBR1. MW5IC2030GMBR1 1930-1990 MHz. 30 W. 26 V. GSM/GSM EDGE. W-CDMA. PHS. RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW5IC2030NBR1_065 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW5IC970NBR1 RF LDMOS Wideband 2-Stage Power Amplifiers
MW60B-24S15 Analog IC
LWA3-12S33 Analog IC
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參數(shù)描述
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MW5IC2030MBR1 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 30W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR)
MW5IC2030MBR1_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
MW5IC2030MBR5 功能描述:IC PWR AMP RF 26V 30W TO-272-16 RoHS:否 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 放大器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 頻率:100MHz ~ 6GHz P1dB:9.14dBm（8.2mW） 增益:15.7dB 噪音數(shù)據(jù):1.3dB RF 型:CDMA，TDMA，PCS 電源電壓:2.7 V ~ 5 V 電流 - 電源:60mA 測試頻率:2GHz 封裝/外殼:0505（1412 公制） 包裝:帶卷 (TR)
MW5IC2030NBR1 功能描述:射頻放大器 1.9GHZ RFIC TO272WBN RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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