參數(shù)資料
型號： MUN5136DW
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
中文描述： 雙偏置電阻晶體管進步黨硅
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大?。?/td> 354K
代理商： MUN5136DW
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
MUN5111DW Series
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(IC=-2.0mA, IB
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=-10 uA ,IE=0)
Collector-Base Cutoff Voltage
(V
CB
=-50 V, IE
Collector-Emitter Cutoff Current
(ICE=-50V, IB
Emitter-Base Cutoff Current
(VEB
C
V(BR)CEO
ICBO
V(BR)CBO
VCE(sat)
ICEO
IEBO
mA
V
nA
V
nA
Characteristics
Symbol
Min
Max
Unit
Off Characteristics
On Characteristics
Typ
-50
-
-50
-
-
-
-
-100
-500
-
-
-
Electrical Characteristics
(T
A
=25 C Unless Otherwise noted)
-0.5
-0.2
-0.1
-0.2
-0.9
-1.9
-4.3
-2.3
-1.5
-0.18
-0.13
-0.2
-0.05
-0.13
Vdc
-0.25
MUN5111DW
MUN5112DW
MUN5113DW
MUN5114DW
MUN5115DW
MUN5116DW
MUN5130DW
MUN5131DW
MUN5132DW
MUN5133DW
MUN5134DW
MUN5135DW
MUN5136DW
MUN5137DW
MUN5137DW/MUN5131DW
MUN5115DW/MUN5116DW
MUN5132DW/MUN5133DW/MUN5134DW
Collector-Emitter Saturation Voltage (IC
B
(IC
B
(IC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
E
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%
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PDF描述
MUN5137DW Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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MUN5116 Bias Resistor Transistor PNP Silicon
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MUN5136DW1T1 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
MUN5136DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
MUN5136T1 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商設備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
MUN5136T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC70 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
MUN5137 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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