參數(shù)資料
型號： MUN5136DW
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
中文描述： 雙偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅
文件頁數(shù)： 15/19頁
文件大小： 354K
代理商： MUN5136DW
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MUN5111DW Series
WEITRON
MUN5111DW Series
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS-MUN5134DW
75 C
25C
-25 C
FIG.52 V
CE(sat)
versus I
C
FIG.53 DC Current Gain
FIG.54 Output Capacitance
FIG.55 Output Current versus Input Voltage
V
in
, INPUT VOLTAGE (VOLTS)
V
R
, REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
FIG.56 Input Voltage versus Output Current
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
1
0.1
50
40
20
10
0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
10
1
100
10
1
0.001
1000
V
C
,
h
F
,
3
45
50
40
30
20
10
0
0
C
o
,
1
2
100
6
5
4
3
2
1
0
0.001
1
10
I
C
,
10
9
8
7
100
30
20
10
0
0.1
1
40
50
V
i
,
75 C
25C
T
A
= -25 C
75 C
25 C
T
A
= -25 C
75 C
25C
T
A
= -25 C
0.01
35
25
15
5
0.01
0.1
30
2.5
0.5
1.5
3.5
10
I
C
/I
B
= 10
V
CE
= 10 V
f = 1 MHz
l
E
= 0 V
T
A
= 25C
V
O
= 5 V
V
O
= 0.2 V
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MUN5136DW1T1 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
MUN5136DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
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MUN5136T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC70 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
MUN5137 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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