參數(shù)資料
型號： MUN5136DW
廠商： WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
英文描述： Dual Bias Resistor Transistor PNP Silicon
中文描述： 雙偏置電阻晶體管進(jìn)步黨硅
文件頁數(shù)： 1/19頁
文件大小： 354K
代理商： MUN5136DW
Dual Bias Resistor Transistor
PNP Silicon
Collector-Emitter Voltage
Symbol
VCEO
Value
-50
Unit
Vdc
Vdc
Rating
IC
VCBO
-50
mAdc
Collector Current-Continuous
-100
MUN5111DW Series
h t t p : / / w w w . w e i t r o n . c o m . t w
W E I T R O N
Maximum Ratings
( T
A
=25 C unless otherwise noted)
Total Device Dissipation FR-5 Board
(1)TA=25 C
Derate above 25 C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage, Temperature Range
Characteristics
TJ,Tstg
R JA
PD
Symbol
Max
Unit
mW
mW/ C
C/W
C
Thermal Characteristics
Device Marking and Resistor Values
Device
Marking
(1)
187
1.5
670
-55 to +150
Collector-Base Voltage
1.FR-4 @ minimum pad
2.FR-4 @ 1.0 1.0 inch Pad
l
l
MUN5111
MUN5112
MUN5113
MUN5114
MUN5115
MUN5116
MUN5130
R1(K)
R2(K)
0A
0B
0C
0D
0E
0F
0G
10
22
47
10
10
4.7
1.0
10
22
47
47
8
8
1.0
Device
MUN5131
MUN5132
MUN5133
MUN5134
MUN5135
MUN5136
MUN5137
Marking
R1(K)
R2(K)
0H
0J
0K
0L
0M
0N
0P
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
2.2
4.7
47
47
47
100
22
SOT-363(SC-88)
3
4
5
1
2
6
PNP+PNP
123
654
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PDF描述
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參數(shù)描述
MUN5136DW1T1 功能描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT363 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:70mA，100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k，2.2k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz，200MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000784046
MUN5136DW1T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC88 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
MUN5136T1 功能描述:TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
MUN5136T1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SS SC70 BR XSTR PNP 50V - Tape and Reel
MUN5137 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Bias Resistor Transistor PNP Silicon
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